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参数资料
| 型号： | NTHD3102C |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET(功率MOSFET) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | NTHD3102C |
NTHD3102C
http://onsemi.com
10
PACKAGE DIMENSIONS
ChipFET
CASE 1206A03
ISSUE G
0.457
0.018
2.032
0.08
0.635
0.025
0.66
0.026
0.711
0.028
mm
inches
SCALE 20:1
0.457
0.018
2.032
0.08
0.635
0.025
0.66
0.026
0.254
0.010
mm
inches
SCALE 20:1
1.092
0.043
0.178
0.007
Basic
Style 2
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
STYLE 2:
PIN 1. SOURCE 1
2. GATE 1
3. SOURCE 2
4. GATE 2
5. DRAIN 2
6. DRAIN 2
7. DRAIN 1
8. DRAIN 1
E
A
b
e
e1
D
1
2
3
4
8
7
6
5
c
L
1
2
3
4
8
7
6
5
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MOLD GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.13 MM PER SIDE.
4. LEADFRAME TO MOLDED BODY OFFSET IN HORIZONTAL
AND VERTICAL SHALL NOT EXCEED 0.08 MM.
5. DIMENSIONS A AND B EXCLUSIVE OF MOLD GATE BURRS.
6. NO MOLD FLASH ALLOWED ON THE TOP AND BOTTOM LEAD
SURFACE.
0.05 (0.002)
DIM
A
b
c
D
E
e
e1
L
H
E
MIN
1.00
0.25
0.10
2.95
1.55
NOM
1.05
0.30
0.15
3.05
1.65
0.65 BSC
0.55 BSC
0.35
1.90
5
°
NOM
MAX
1.10
0.35
0.20
3.10
1.70
MIN
0.039
0.010
0.004
0.116
0.061
MILLIMETERS
INCHES
NOM
0.28
1.80
0.42
2.00
0.011
0.071
0.041
0.012
0.006
0.120
0.065
0.025 BSC
0.022 BSC
0.014
0.075
5
°
NOM
0.043
0.014
0.008
0.122
0.067
0.017
0.079
MAX
H
E
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