型号: | NTHD3102C |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
英文描述: | Power MOSFET(功率MOSFET) |
中文描述: | 功率MOSFET(功率MOSFET的) |
文件页数: | 5/11页 |
文件大小: | 95K |
代理商: | NTHD3102C |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NTHD3102CT1G | 功能描述:MOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NTHD3133PF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, FETKY, P-Channel, -4.4 A, with 3.7 A Schottky Barrier Diode, ChipFET? |
NTHD3133PFT1G | 功能描述:MOSFET PFET FETKY 20V CHIPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NTHD3133PFT3G | 功能描述:MOSFET -20V -4.4A P-CHANNEL W/3.7A SCHOTTKY RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NTHD4102P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET |