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参数资料
| 型号： | NTHD3102C |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET(功率MOSFET) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | NTHD3102C |
NTHD3102C
http://onsemi.com
4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
N/P
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V
SD
N
V
GS
= 0 V, T
J
= 25
°
C
I
S
= 1.7 A
0.68
1.2
V
P
I
S
= 1.7 A
0.7
1.2
Reverse Recovery Time
t
RR
N
V
GS
= 0 V,
dI
S
/ dt = 100 A/ s
I
S
= 1.7 A
13.5
ns
P
I
S
= 1.7 A
12.6
Charge Time
t
a
N
I
S
= 1.7 A
8.6
P
I
S
= 1.7 A
8.4
Discharge Time
t
b
N
I
S
= 1.7 A
4.9
P
I
S
= 1.7 A
4.2
Reverse Recovery Charge
Q
RR
N
I
S
= 1.7 A
7.0
nC
P
I
S
= 1.7 A
6.0
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