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参数资料
| 型号： | NTLJD4150PTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJD4150P
MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted) (continued)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Recovery Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = ?2.0 A
T J = 25 ° C
T J = 85 ° C
?0.85
?0.77
?1.0
V
Reverse Recovery Time
t RR
8.9
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Time
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, d ISD /d t = 100 A/ m s,
I S = ?2.0 A
6.2
2.9
3.0
ns
nC
5. Pulse Test: Pulse Width v 300 m s, Duty Cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
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