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参数资料
| 型号： | NTLJD4150PTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJD4150P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
?10V
9 to
?6 V
?4.8 V
T J = 25 ° C
?4.6 V
8
7
V DS ≥ 10 V
8 ?7V
7
6
5
?4.2 V
?3.8 V
6
5
4
4
3
2
?3.4 V
?3.0 V
3
2
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
1
0
?2.6 V
1
0
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8
1
2
3
4
5
0.20
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
1.0
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.18
0.16
0.14
0.12
V GS = ?10 V
T J = 125 ° C
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
T J = 25 ° C
0.10
0.08
0.06
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.4
0.3
0.2
0.1
V GS = ?4.5 V
V GS = ?10 V
0.04
1.0
2.0
3.0
4.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.6
?I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
1000
?I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.5
1.4
I D = ?3.0 A
V GS = ?10 V
100
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
1.3
1.2
1.1
10
T J = 100 ° C
1.0
0.9
0.8
0.7
1
0.1
T J = 85 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
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