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参数资料
| 型号： | NTLJD4150PTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJD4150P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
500
6
20
400
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
V DS
QT
16
4
300
Q GS
Q GD
V GS
12
3
200
2
8
100
0
C oss
C rss
1
0
I D = ?3.0 A
T J = 25 ° C
4
0
0
5
10
15 20
25
30
0 0.2 0.40.60.8 1 1.21.41.61.8 2 2.2 2.4 2.62.8 3 3.23.4 3.6
100
DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
V DD = ?24 V
I D = ?3.0 A
V GS = ?4.5 V
t r
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?To?Source and Drain?To?Source
Voltage versus Total Charge
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
3
10
t d(off)
t f
2
t d(on)
1
1
0
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
Variation versus Gate Resistance
10
10 m s
100 m s
1
*See Note 2 on Page 1
1 ms
10 ms
0.1
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
SINGLE PULSE
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
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