参数资料
型号: NTLUS4195PZTBG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN
产品变化通告: Product Obsolescence 05/Oct/2010
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 15V
功率 - 最大: 600mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-UFDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 6-UDFN(1.6x1.6)
包装: 带卷 (TR)
NTLUS4195PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
18
16
14
12
10
8
6
V GS = ? 10 V
? 9.0 V
? 8.0 V
? 7.0 V
? 6.0 V
? 5.0 V
? 4.5 V
? 4.0 V
? 3.5 V
10
9
8
7
6
5
4
3
V DS ≤ ? 10 V
T J = 25 ° C
4
2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
? 3.0 V
? 2.5 V
4.5 5.0
2
1
0
1
1.5
T J = 125 ° C
2 2.5
T J = ? 55 ° C
3 3.5
4
4.5
5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.250
0.225
0.200
0.175
0.150
0.125
0.100
0.075
I D = ? 3.0 A
T J = 25 ° C
0.250
0.225
0.200
0.175
0.150
0.125
0.100
0.075
0.050
0.025
V GS = ? 4.5 V
V GS = ? 10 V
T J = 25 ° C
0.050
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
? V GS , GATE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
V GS = ? 10 V
I D = ? 3.0 A
V GS = ? 4.5 V
I D = ? 2.0 A
1000
100
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.0
0.9
0.8
0.7
10
T J = 85 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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