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参数资料
| 型号： | NTLUS4195PZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLUS4195PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
400
350
300
250
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
5
4
3
Q GS
V DS
Q T
Q GD
V GS
18
15
12
200
9
150
2
6
100
50
0
0
C oss
C rss
5
10
15
20
25
30
1
0
0
0.5
1
1.5
2
V DS = ? 15 V
I D = ? 3.0 A
T J = 25 ° C
2.5 3
3
0
3.5
1000
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 15 V
I D = ? 3.0 A
10
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
t r
t f
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
t d(off)
t d(on)
10
1
10
100
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
2.0
1.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
65
60
55
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
I D = ? 250 m A
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
1.2
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
1.E ? 04 1.E ? 03 1.E ? 02 1.E ? 01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
4
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
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