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参数资料
| 型号： | NTMD2P01R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 16V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMD2P01R2GOS |
NTMD2P01R2
4
3
V GS = ? 2.1 V
V GS = ? 10 V
V GS = ? 4.5 V
V GS = ? 2.5 V
V GS = ? 1.9 V
T J = 25 ° C
5
4
V DS > = ? 10 V
3
2
1
V GS = ? 1.7 V
2
T J = 25 ° C
V GS = ? 1.5 V
1
T J = 100 ° C
T J = 55 ° C
0
0
2
4
6
8
10
0
1
1.5
2
2.5
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics.
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics.
0.2
0.15
0.1
T J = 25 ° C
0.12
0.1
0.08
T J = 25 ° C
V GS = ? 2.7 V
V GS = ? 4.5 V
0.05
0.06
0
2
4
6
8
0.04
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
1.6
? V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage.
1000
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage.
1.4
1.2
I D = ? 2.4 A
V GS = ? 4.5 V
100
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
1
0.8
1
0.1
0.6
? 50
? 25
0 25
50
75
100
125
150
0.01
0
4 8 12 16
20
T J, JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature.
http://onsemi.com
3
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTMD3N08LR2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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