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参数资料
| 型号： | NTMD2P01R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 16V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMD2P01R2GOS |
NTMD2P01R2
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
Normalized to R ? ja at Steady State (1 inch pad)
0.0125 W 0.0563 W 0.110 W 0.273 W 0.113 W
0.436 W
0.05
0.02
0.01
0.021 F
0.137 F
1.15 F
2.93 F
152 F
261 F
Single Pulse
0.01
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+03
1E+02
1E+03
t, TIME (s)
Figure 13. FET Thermal Response
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTMD3N08LR2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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