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参数资料
| 型号： | NTMD2P01R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 16V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMD2P01R2GOS |
NTMD2P01R2
1500
1200
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
QT
20
18
16
14
900
600
C rss
C iss
3
2
Q1
Q2
V GS
12
10
8
300
0
10
5
0
5
10
C oss
C rss
15
20
1
0
0
2
4
V DS
6
8
10
I D = ? 2.4 A
T J = 25 ° C
12
14
6
4
2
0
? V GS ? V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.2 A
V GS = ? 2.7 V
t r
100
10
t d (off)
t r
t d
(on)
t f
10
1.0
10
t d (off)
t d (on)
t f
100
1.0
V DD = ? 10 V
I D = ? 2.4 A
V GS = ? 4.5 V
1.0
10
100
2
R G, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
R G, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
1.6
1.2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
I S
di/dt
t rr
0.8
0.4
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
? V SD, SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Diode Forward Voltage
versus Current
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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