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参数资料
| 型号： | NTP75N06G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220, TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP75N06GOS |
NTP75N06, NTB75N06
160
160
V DS w 10 V
140
V GS = 10 V
V GS = 6.5 V
140
120
100
80
60
V GS = 7 V
V GS = 8 V
V GS = 9 V
V GS = 6 V
V GS = 5.5 V
120
100
80
60
40
V GS = 5 V
40
T J = 25 ° C
20
0
V GS = 4.5 V
20
0
T J = 100 ° C
T J = ?55 ° C
0
1
2
3
4
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0.015
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.015
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.013
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
0.013
V GS = 15 V
T J = 100 ° C
0.011
0.011
0.009
0.007
0.005
0.003
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.009
0.007
0.005
0.003
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
2
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
10000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
1.4
1.2
1
I D = 37.5 A
V GS = 10 V
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
0.8
0.6
10
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTP75N06L | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB |
| NTP75N06 | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB |
| NTP90N02G | MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB |
| NTQD6866R2G | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
| NTQD6968N | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP75N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N |
| NTP75N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTP75N06L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTP75N06L/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 75 Amps， 60 Volts， Logic Level |
| NTP7N40/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 7 Amps， 400 Volts |
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