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参数资料
| 型号： | NTP75N06G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220, TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP75N06GOS |
NTP75N06, NTB75N06
PACKAGE DIMENSIONS
D 2 PAK
CASE 418B?04
ISSUE J
C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
?B?
E
V
W
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B?01 THRU 418B?03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B?04.
4
DIM
A
INCHES
MIN MAX
0.340 0.380
MILLIMETERS
MIN MAX
8.64 9.65
A
B
0.380 0.405
9.65 10.29
1
2
3
S
C
D
0.160 0.190
0.020 0.035
4.06 4.83
0.51 0.89
E
F
0.045 0.055
0.310 0.350
1.14 1.40
7.87 8.89
?T?
SEATING
PLANE
G
K
J
W
G
H
J
K
0.100 BSC
0.080 0.110
0.018 0.025
0.090 0.110
2.54 BSC
2.03 2.79
0.46 0.64
2.29 2.79
L
0.052 0.072
1.32 1.83
D
3 PL
H
M
N
0.280 0.320
0.197 REF
7.11 8.13
5.00 REF
0.13 (0.005)
M
T B
M
P
R
0.079 REF
0.039 REF
2.00 REF
0.99 REF
S
V
0.575 0.625
0.045 0.055
14.60 15.88
1.14 1.40
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
VARIABLE
CONFIGURATION
4. DRAIN
ZONE
R
N
U
P
M
F
VIEW W?W
1
10.66
0.42
L
L
M
F
VIEW W?W
2
SOLDERING FOOTPRINT*
8.38
0.33
1.016
0.04
3.05
0.12
17.02
0.67
SCALE 3:1
M
F
VIEW W?W
3
5.08
0.20
mm
inches
L
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTP75N06L | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB |
| NTP75N06 | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB |
| NTP90N02G | MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB |
| NTQD6866R2G | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
| NTQD6968N | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP75N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N |
| NTP75N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTP75N06L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTP75N06L/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 75 Amps， 60 Volts， Logic Level |
| NTP7N40/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 7 Amps， 400 Volts |
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