- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录492 > NTP75N06G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTP75N06G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220, TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP75N06GOS |
NTP75N06, NTB75N06
10000
12
8000
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
Q T
6000
C iss
8
Q 1
V GS
4000
C rss
C iss
6
Q 2
4
C oss
2000
C rss
2
I D = 75 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS 0 V DS
5
10
15
20
25
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
1000
80
70
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t f
60
10
t r
t d(off)
50
40
30
1
t d(on)
V DS = 30 V
I D = 75 A
V GS = 5 V
20
10
0
1
10
100
0.6
0.64 0.68 0.72 0.76 0.8
0.84 0.86 0.92 0.96
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variations
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
10 m s
1000
I D = 75 A
T C = 25 ° C
800
100
600
100 m s
1 ms
400
10
10 ms
1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
dc
200
0
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTP75N06L | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB |
| NTP75N06 | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB |
| NTP90N02G | MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB |
| NTQD6866R2G | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
| NTQD6968N | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP75N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N |
| NTP75N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTP75N06L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTP75N06L/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 75 Amps， 60 Volts， Logic Level |
| NTP7N40/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 7 Amps， 400 Volts |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。