参数资料
型号: NTS4001NT1
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 270mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.5 欧姆 @ 10mA,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 33pF @ 5V
功率 - 最大: 330mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商设备封装: SC-70-3(SOT323)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NTS4001NT1OS
NTS4001N, NVS4001N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
50
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
Q G
40
C iss
4
30
20
C rss
C iss
3
2
Q GS
Q GD
10
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
C oss
C rss
25
1
0
0
I D = 0.1 A
T J = 25 ° C
0.2 0.4 0.6 0.8
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
1
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Gate Charge
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
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4
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