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参数资料
| 型号： | NTTFS4985NFTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2075pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.47W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTTFS4985NF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 2 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.4
0.33
0.7
V
Reverse Recovery Time
t RR
35.7
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, d IS /d t = 100 A/ m s,
I S = 2 A
18.2
17.5
Reverse Recovery Charge
Q RR
32
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L S
0.65
nH
Drain Inductance
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
0.20
1.5
Gate Resistance
R G
1.0
W
5. Pulse Test: pulse width = 300 m s, duty cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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