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参数资料
| 型号： | NTTFS4985NFTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2075pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.47W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTTFS4985NF
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
C iss
10
8
6
Q T
1200
1000
4
Q gs
Q gd
800
600
400
200
0
0
C rss
C oss
5 10 15 20 25
30
2
0
0
2
4
I D = 30 A
T J = 25 ° C
V DD = 15 V
V GS = 10 V
6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
1000
10
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 10 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
9
8
7
6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
5
10
1
t d(on)
4
3
2
1
0
1
10
100
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
10
1
0.1
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
dc
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
I D = 32 A
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTTFS4C05N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 75 A, Single Na??Channel,8FL |
| NTTFS4C05NTAG | 功能描述:MOSFET T6 LC SO8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4C05NTWG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM |
| NTTFS4C10NTAG | 功能描述:MOSFET T6 LC SO8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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