参数资料
型号: NTTFS4985NFTAG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN
标准包装: 1,500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.5 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2075pF @ 15V
功率 - 最大: 1.47W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-WDFN(3.3x3.3)
包装: 带卷 (TR)
NTTFS4985NF
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V GS = 3.8 V
150
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
0
1
4.0 V
4.2 V
4.4 V to 4.5 V
7.5 V to 10 V
2 3
4
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
2.6 V
2.4 V
5
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
V DS = 5 V
1.5
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
2 2.5
T J = ? 55 ° C
3 3.5
4
0.030
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
5.50E ? 03
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.025
0.020
I D = 30 A
T J = 25 ° C
5.25E ? 03
5.00E ? 03
4.75E ? 03
4.50E ? 03
4.25E ? 03
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.015
4.00E ? 03
3.75E ? 03
0.010
0.005
3.50E ? 03
3.25E ? 03
3.00E ? 03
2.75E ? 03
2.50E ? 03
V GS = 10 V
0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
2.25E ? 03
5
20
35
50
65
80
95
110 125 140 155
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
I D = 20 A
V GS = 10 V
1.00E ? 01
1.00E ? 02
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
1.00E ? 03
1.00E ? 04
T J = 25 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1.00E ? 05
0
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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