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参数资料
| 型号： | NVD5117PLT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 61A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 4.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NVD5117PLT4GOSDKR |
NVD5117PL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
V (BR)DSS
V GS = 0 V, I D = ? 250 m A
? 60
V
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V,
V DS = ? 60 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
? 1.0
? 100
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = " 20 V
" 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Gate Threshold Voltage
Drain ? to ? Source On Resistance
V GS(TH)
R DS(on)
V GS = V DS , I D = ? 250 m A
V GS = ? 10 V, I D = ? 29 A
? 1.5
12
? 2.5
16
V
m W
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 29 A
16
22
Froward Transconductance
g FS
V DS = ? 15 V, I D = ? 15 A
30
S
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz,
V DS = ? 25 V
4800
480
320
pF
Total Gate Charge
Q G(TOT)
V DS = ? 48 V,
I D = ? 29 A
V GS = ? 4.5 V
V GS = ? 10 V
49
85
nC
Threshold Gate Charge
Q G(TH)
3
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Q GS
Q GD
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 48 V,
I D = ? 29 A
13
28
Plateau Voltage
V GP
3.2
V
SWITCHING CHARACTERISTICS (Notes 4)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
22
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 48 V,
I D = ? 29 A, R G = 2.5 W
195
50
132
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = ? 29 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
? 0.86
? 0.74
? 1.0
V
Reverse Recovery Time
t RR
36
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, dl s /dt = 100 A/ m s,
I s = ? 29 A
19
17
Reverse Recovery Charge
Q RR
44
nC
4. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
http://onsemi.com
2
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