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参数资料
| 型号： | NVD5117PLT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 61A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 4.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NVD5117PLT4GOSDKR |
NVD5117PL
TYPICAL CHARACTERISTICS
6000
10
5500
5000
4500
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
Q T
4000
3500
6
3000
2500
2000
4
Q gs
Q gd
1500
1000
500
0
0
C rss
10
20
30
C oss
40
50
60
2
0
0
10
20
30
40
50
60
V DS = ? 48 V
I D = ? 29 A
T J = 25 ° C
70 80
90
1000.0
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
120
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source vs. Total Charge
V GS = 0 V
100
T J = 25 ° C
100.0
t r
t f
t d(off)
80
10.0
t d(on)
60
40
1.0
1
V DD = ? 48 V
I D = ? 29 A
V GS = ? 10 V
10
100
20
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
V GS = ? 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 ms
10 m s
250
200
I D = ? 40 A
150
10
dc
100
1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
50
0
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
175
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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