| 型号: | NVD5117PLT4G |
| 厂商: | ON Semiconductor |
| 文件页数: | 6/6页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | MOSFET P-CH 60V 61A DPAK |
| 标准包装: | 1 |
| FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 61A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 16 毫欧 @ 29A,10V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 4.1W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 供应商设备封装: | DPAK-3 |
| 包装: | 标准包装 |
| 其它名称: | NVD5117PLT4GOSDKR |