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参数资料
| 型号： | NVD5117PLT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 61A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 4.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NVD5117PLT4GOSDKR |
NVD5117PL
TYPICAL CHARACTERISTICS
120
100
V GS = ? 10 V
? 4.5 V
? 4.2 V
T J = 25 ° C
? 4 V
120
100
V DS ≥ ? 10 V
80
60
40
? 3.8 V
? 3.6 V
? 3.4 V
80
60
40
20
? 3.2 V
? 3 V
20
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
0
1
2
3
4
5
0
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.024
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.065
0.055
0.045
0.035
0.025
0.015
I D = ? 29 A
T J = 25 ° C
0.022
0.020
0.018
0.016
0.014
0.012
T J = 25 ° C
V GS = ? 4.5 V
V GS = ? 10 V
0.005
3
4
5
6
7
8
9
10
0.010
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.00
1.80
1.60
1.40
V GS = ? 10 V
I D = ? 29 A
100000
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.20
1.00
0.80
1000
0.60
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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