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参数资料
| 型号： | NVD5890NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 100A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4760pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVD5890N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 50 A
T J = 25 ° C
0.9
1.2
V
V GS = 0 V,
I S = 20 A
T J = 25 ° C
0.8
1.0
Reverse Recovery Time
t RR
35
ns
Charge Time
Discharge Time
ta
tb
V GS = 0 V, dIs/dt = 100 A/ m s,
I S = 50 A
20
15
Reverse Recovery Charge
Q RR
40
nC
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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