- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录494 > NVD5890NT4G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 100A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NVD5890NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 100A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4760pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVD5890N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
C rss
5
C iss
C oss
10
15
20
25
30
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
35
40
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
Q GS
10
20
V DS
Q DS
30
Q T
40
50
V GS
V DS = 15 V
I D = 50 A
T J = 25 ° C
60 70
20
15
10
5
0
80
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
V GS = 10 V
V DD = 20 V
I D = 50 A
t d(off)
t f
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
t r
10
T J = 150 ° C
t d(on)
10
1
100 ° C
25 ° C
T J = ? 55 ° C
1
1
10
100
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
1000
100
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100 m s
10
V GS ≤ 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NVD6415ANLT4G | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4 |
| NVF2955PT1G | MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223 |
| NVF5P03T3G | MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223 |
| NVMFD5877NLT1G | MOSFET N-CH 60V 17A 8SOIC |
| NVMFS4841NT1G | MOSFET N-CH 30V 89A SO-8FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NVD-6 | 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:NIGHT VISION H.V. RECTIFIER DIODES & ARRAYS |
| NVD6414ANT4G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVD6415ANL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 m Logic Level |
| NVD6415ANLT4G | 功能描述:MOSFET NFET 100V 23A 56MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVD6415ANT4G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。