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参数资料
| 型号： | NVD5890NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 100A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4760pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVD5890N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10
1.0
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.001
SINGLE PULSE
R q JC = 1.4 ° C/W
Steady State
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
Order Number
NVD5890NT4G
Package
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500/Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| NVD6415ANT4G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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