DMG4406LSS
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>> DMG4406LSS(该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。)
DMG4406LSS中文资料
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DMG4406LSS
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
232.41 Kbytes
DMG4413LSS
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
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DMG4413LSS-13
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
4 Pages
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DMG4435SSS
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4435SSS-13
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4466SSS
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
6 Pages
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DMG4466SSS-13
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
6 Pages
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DMG4466SSSL
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4466SSSL-13
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4468LFG
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4468LFG-7
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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DMG4468LK3
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4468LK3-13
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4496SSS
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4496SSS-13
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4511SK4
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4511SK4-7
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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DMG4710SSS
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4710SSS-13
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4712SSS
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4712SSS-13
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4800LFG
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4800LFG-7
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4800LK3
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4800LK3-13
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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DMG4800LSD
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4800LSD-13
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4812SSS
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4812SSS-13
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
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DMG4932LSD
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG4932LSD-13
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG563H1
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
PANASONIC
Panasonic Semiconductor
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DMG5802LFX
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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DMG5802LFX-7
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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DMG6402LDM
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG6402LDM-7
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG6602SVT
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG6602SVT-7
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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DMG6898LSD
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
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DMG6898LSD-13
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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Diodes Incorporated
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DMG6968U
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DIODES
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DMG6968U
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TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
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DMG6968U-7
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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DMG6968U-7
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TY Semiconductor Co., Ltd
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DMG6968UDM
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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DMG6968UDM-7
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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DMG6968UQ-7
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
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DMG6968UTS
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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DMG6968UTS-13
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
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DMG7430LFG
该MOSFET的设计是为了尽量减少通态电阻(RDS(ON)),并同时保持出色的开关性能,使其成为理想的高效率电源管理应用。
DIODES
Diodes Incorporated
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DMG4406LSS参数资料
电子元器件
参数资料
DMG4406LSS
制造商:DIODES;制造商全称:Diodes Incorporated;功能描述:This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.;
DMG4406LSS供应商
电子元器件
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销售经理:马先生
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14+
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张小姐/Vivianvi
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13/14+
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DMG4406LSS-13
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
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Diodes Incorporated
8-SO
15+
25000
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深圳市海天鸿电子科技有限公司
彭小姐、刘先生、李小姐
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Diodes Incorporated
原厂原装
1516+
7500
DMG4406LSS-13
北京京华特科技有限公司
张小姐/韩先生
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Diodes Inc
标准封装
N/A
1200
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深圳市柏新电子科技有限公司
林小姐//方先生
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DIODES
SOP-8
2012+
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深圳市贸盛微电子有限公司
周先生
0755-82208752
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SOP-8L
NA
30000
DMG4406LSS-13
科创特电子(香港)有限公司
柯
0755-83014603
DIODES
SOP-8
1250+
1000
DMG4406LSS
深圳旭亨半导体有限公司
苏小姐 ★原厂授权经销商★ 只做原装正★
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SOP-8
14+
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