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参数资料
| 型号： | PH28F128L18T85 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | StrataFlash Wireless Memory |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA56 |
| 封装： | 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-56 |
| 文件页数： | 40/106页 |
| 文件大小： | 1272K |
| 代理商： | PH28F128L18T85 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页当前第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
April 2005
40
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Order Number: 251902, Revision: 009
Datasheet
Note:
WAIT shown deasserted and High-Z per OE# deassertion during write operation (RCR[10]=0 Wait
asserted low).
Figure 22.
Write to Synchronous Read Timing
Latency Count
D
Q
Q
W1
R304
R305
R304
R3
W7
W4
R307
R15
R4
W20
W19
W18
W3
R11
R303
W6
W2
R104
R106
R306
W8
W5
R302
R301
R2
CLK
Address [A]
ADV#
CE# [E}
WE# [W]
OE# [G]
WAIT [T]
Data [D/Q]
RST# [P]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH28F256L18B85 | StrataFlash Wireless Memory |
| PH28F256L18T85 | StrataFlash Wireless Memory |
| PH28F640L18B85 | StrataFlash Wireless Memory |
| PH28F640L18T85 | StrataFlash Wireless Memory |
| PH2907A | PNP switching transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PH28F128W18BD60A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel 1.8V 128Mbit 8M x 16bit 60ns 56-Pin VFBGA Tray |
| PH28F160C3BD70A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MM#865392FLASH 28F160C3BD 70 VF-PBGA46 C |
| PH28F256L18B85 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| PH28F256L18B85A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MM#875138FLASH 28F256L18B 85 VF-PBGA79 S |
| PH28F256L18T85 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
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