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参数资料
| 型号： | PIC12F683-E/MD |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 26/176页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PIC MCU FLASH 2KX14 8DFN |
| 产品培训模块： | Asynchronous Stimulus |
| Digi-Key 应用说明： | AN0005 PWM Example with Microchip's CCP Module AN0005 Example Code |
| 标准包装： | 91 |
| 系列： | PIC® 12F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 5 |
| 程序存储器容量： | 3.5KB（2K x 14） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 256 x 8 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | AC164326-ND - MODULA SKT PM3 20QFN I3-DB12F683-ND - BOARD DAUGHTER ICEPIC3 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页当前第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页
2007 Microchip Technology Inc.
DS41211D-page 119
PIC12F683
15.3
DC Characteristics: PIC12F683-I (Industrial)
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature
-40°C
≤ TA ≤ +85°C for industrial
Param
No.
Device Characteristics
Min
Typ
Max
Units
Conditions
VDD
Note
D020
Power-down Base
Current(IPD)(2)
—
0.05
1.2
μA
2.0
WDT, BOR, Comparators, VREF and
T1OSC disabled
—
0.15
1.5
μA3.0
—
0.35
1.8
μA5.0
—
150
500
nA
3.0
-40°C
≤ TA ≤ +25°C
D021
—
1.0
2.2
μA
2.0
WDT Current(1)
—2.0
4.0
μA3.0
—3.0
7.0
μA5.0
D022
—
42
60
μA
3.0
BOR Current(1)
—
85
122
μA5.0
D023
—
32
45
μA
2.0
Comparator Current(1), both
comparators enabled
—60
78
μA3.0
—
120
160
μA5.0
D024
—
30
36
μA2.0
CVREF Current(1) (high range)
—45
55
μA3.0
—75
95
μA5.0
D025*
—
39
47
μA2.0
CVREF Current(1) (low range)
—59
72
μA3.0
—
98
124
μA5.0
D026
—
4.5
7.0
μA
2.0
T1OSC Current(1), 32.768 kHz
—5.0
8.0
μA3.0
—6.0
12
μA5.0
D027
—
0.30
1.6
μA
3.0
A/D Current(1), no conversion in
progress
—
0.36
1.9
μA5.0
*
These parameters are characterized but not tested.
Data in “Typ” column is at 5.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Note 1:
The peripheral current is the sum of the base IDD or IPD and the additional current consumed when this
peripheral is enabled. The peripheral
Δ current can be determined by subtracting the base IDD or IPD
current from this limit. Max values should be used when calculating total current consumption.
2:
The power-down current in Sleep mode does not depend on the oscillator type. Power-down current is
measured with the part in Sleep mode, with all I/O pins in high-impedance state and tied to VDD.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| PIC12F683-I/MF | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:8BIT FLASH MCU SMD 12F683 DFN-8 |
| PIC12F683-I/MFQTP | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8-Pin Flash-Based, 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology |
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