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参数资料
型号： S1D13505F00A100
元件分类： 显示控制器
英文描述： CRT OR FLAT PNL GRPH DSPL CTLR, PQFP128
封装： QFP15-128
文件页数： 134/192页
文件大小： 3311K
代理商： S1D13505F00A100
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6: D.C. CHARACTERISTICS
1-24
EPSON
S1D13505F00A HARDWARE FUNCTIONAL
SPECIFICATION (X23A-A-001-12)
6 D.C. CHARACTERISTICS
Table 6-1 Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Rating
Units
VDD
Supply Voltage
VSS - 0.3 to 6.0
V
DAC VDD
Supply Voltage
VSS - 0.3 to 6.0
V
VIN
Input Voltage
VSS - 0.3 to VDD + 0.5
V
VOUT
Output Voltage
VSS - 0.3 to VDD + 0.5
V
TSTG
Storage Temperature
-65 to 150
C
TSOL
Solder Temperature/Time
260 for 10 sec. max at lead
C
Table 6-2 Recommended Operating Conditions
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
VDD
Supply Voltage
VSS = 0V
2.7
3.0/3.3/5.0
5.5
V
VIN
Input Voltage
VSS
VDD
V
TOPR
Operating Temperature
-40
25
85
C
Table 6-3 Electrical Characteristics for VDD = 5.0V Typical
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
IDDS
Quiescent Current
Quiescent Conditions
400
A
IIZ
Input Leakage Current
-1
1
A
IOZ
Output Leakage Current
-1
1
A
VOH
High Level Output Voltage
VDD = min
IOL = -4mA (Type1),
-8mA (Type2),
-12mA (Type3)
VDD - 0.4
V
VOL
Low Level Output Voltage
VDD = min
IOL = 4mA (Type1),
8mA (Type2),
12mA (Type3)
0.4
V
VIH
High Level Input Voltage
CMOS level, VDD = max
3.5
V
VIL
Low Level Input Voltage
CMOS level, VDD = min
1.0
V
VT+
High Level Input Voltage
CMOS Schmitt, VDD = 5.0V
4.0
V
VT-
Low Level Input Voltage
CMOS Schmitt, VDD = 5.0V
0.8
V
VH1
Hysteresis Voltage
CMOS Schmitt, VDD = 5.0V
0.3
V
RPD
Pull Down Resistance
VI = VDD
50
100
200
k
CI
Input Pin Capacitance
12
pF
CO
Output Pin Capacitance
12
pF
CIO
Bi-Directional Pin Capacitance
12
pF
Table 6-4 Electrical Characteristics for VDD = 3.3V Typical
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
IDDS
Quiescent Current
Quiescent Conditions
290
A
IIZ
Input Leakage Current
-1
1
A
IOZ
Output Leakage Current
-1
1
A
VOH
High Level Output Voltage
VDD = min
IOL = -2mA (Type1),
-4mA (Type2),
-6mA (Type3)
VDD - 0.3
V
VOL
Low Level Output Voltage
VDD = min
IOL = 2mA (Type1),
4mA (Type2),
6mA (Type3)
0.3
V
VIH
High Level Input Voltage
CMOS level, VDD = max
2.2
V
VIL
Low Level Input Voltage
CMOS level, VDD = min
0.8
V
VT+
High Level Input Voltage
CMOS Schmitt, VDD = 3.3V
2.4
V
VT-
Low Level Input Voltage
CMOS Schmitt, VDD = 3.3V
0.6
V
VH1
Hysteresis Voltage
CMOS Schmitt, VDD = 3.3V
0.1
V
RPD
Pull Down Resistance
VI = VDD
90
180
360
k
CI
Input Pin Capacitance
12
pF
CO
Output Pin Capacitance
12
pF
CIO
Bi-Directional Pin Capacitance
12
pF
相关PDF资料
PDF描述
S1S60000F00A100 1 CHANNEL(S), 2M bps, LOCAL AREA NETWORK CONTROLLER, PQFP100
S202T01 TRIGGER OUTPUT SOLID STATE RELAY, 3000 V ISOLATION-MAX
S102T01 TRIGGER OUTPUT SOLID STATE RELAY, 3000 V ISOLATION-MAX
S3C4510BXX-QE 32-BIT, 50 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP208
S3C72E8XX-QX 4-BIT, MROM, 6 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
相关代理商/技术参数
参数描述
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