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参数资料
| 型号： | S71GL064A04BAI0B3 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| 中文描述： | 堆叠式多芯片产品（MCP）的闪存和RAM |
| 文件页数： | 79/102页 |
| 文件大小： | 1606K |
| 代理商： | S71GL064A04BAI0B3 |
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78
S71GL032A Based MCPs
S71GL032A_00_A0 March 31, 2005
Advance
Info rmation
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations-S29GL032A
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See “Erase And Programming Performance” for more information
3. For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
4. If a program suspend command is issued within tPOLL, the device requires tPOLL before reading status data, once
programming resumes (that is, the program resume command has been written). If the suspend command was issued after
Parameter
Description
Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
90
10
11
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
110
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tELAX
tAH
Address Hold Time
Min
45
ns
tDVEH
tDS
Data Setup Time
Min
35
ns
tEHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tGHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tWLEL
tWS
WE# Setup Time
Min
0
ns
tEHWH
tWH
WE# Hold Time
Min
0
ns
tELEH
tCP
CE# Pulse Width
Min
35
ns
tEHEL
tCPH
CE# Pulse Width High
Min
25
ns
tWHWH1
Write Buffer Program Operation (Notes 2, 3)
Typ
240
s
Single Word Program Operation (Note 2)
Typ
60
Accelerated Single Word Program Operation (Note 2)
Typ
54
tWHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec
tRH
RESET# High Time Before Write
Min
50
ns
tPOLL
Program Valid before Status Polling (Note 4)
Max
4
s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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