参数资料
型号: S71WS128NB0BFWAJ
厂商: SPANSION LLC
元件分类: 存储器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84
封装: 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84
文件页数: 114/214页
文件大小: 3554K
代理商: S71WS128NB0BFWAJ
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198
1.8V 128Mb CellularRAM Type 2
cellram_04_A0 May 16, 2005
Advan c e
Inf o rmation
1RWHV
1RQGHIDXOW %&5 VHWWLQJV IRU EXUVW :ULWH RSHUDWLRQ LQ YDULDEOH ODWHQF\ PRGH /DWHQF\ FRGH WZR WKUHH FORFNV :DLW DFWLYH
/RZ:DLW DVVHUWHG GXULQJ GHOD\EXUVW OHQJWK IRXU EXUVW ZUDS HQDEOHG
:DLWDVVHUWVIRU /& F\FOHVIRU ERWKIL[HGDQGYDULDEOH ODWHQF\ /&
/DWHQF\ &RGH %&5>@
W$6 UHTXLUHGLIW&63 !QV
Figure 32.16
Burst Write Operation – Variable Latency Mode
Table 32.19
Burst Write Timing Parameters – Variable Latency Mode
Symbol
Min
Max
Units
Symbol
Min
Max
Units
Symbol
Min
Max
Units
W$6
QV
W&63
QV
W.+./
QV
W&%3+
QV
W+'
QV
W.+7/
QV
W&(0
V
W+=
QV
W.3
QV
W&(:
QV
W.$'9
QV
W63
QV
W&/.
QV
A[22:0]
V
IH
V
IL
ADV#
V
IH
V
IL
CE#
V
IH
V
IL
OE#
V
IH
V
IL
WE#
V
IH
V
IL
Wait
DQ[15:0]
V
OH
V
OL
CLK
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
CLK
t
KP
t
SP
t
AS
3
t
CSP
D[0]
D[3]
D[2]
D[1]
Valid
Address
t
HD
t
SP
tHD
tSP
t
HD
t
HD
t
SP
High-Z
LB#/UB#
V
IH
V
IL
t
SP
t
HD
t
HD
Don't Care
Write Burst Identified
(WE# = Low)
t
CBPH
t
KADV
t
KHTL
t
AS
3
t
HZ
t
CEW
t
KP
t
KHKL
Note 2
t
CEM
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PDF描述
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