参数资料
型号: S71WS128NB0BFWAJ
厂商: SPANSION LLC
元件分类: 存储器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84
封装: 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84
文件页数: 40/214页
文件大小: 3554K
代理商: S71WS128NB0BFWAJ
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132
64Mb CellularRAM Type 2
CellRam_03_A0 March 9, 2005
Advan c e
Inf o rmation
1RWHV
/RZ= WR +LJK= WLPLQJV DUH WHVWHG ZLWK WKH FLUFXLW VKRZQ LQ )LJXUH 7KH +LJK= WLPLQJV PHDVXUH D P9 WUDQVLWLRQ IURP HLWKHU 92+
RU92/ WRZDUG9&&4
+LJK= WR /RZ= WLPLQJV DUHWHVWHGZLWK WKH FLUFXLWVKRZQ LQ )LJXUH 7KH /RZ= WLPLQJV PHDVXUHDP9 WUDQVLWLRQ DZD\IURP WKH
+LJK= 9&&4 OHYHO WRZDUG HLWKHU92+ RU92/
Table 24.5
Asynchronous Write Cycle Timing Requirements
Parameter
Symbol
70 ns
Units
Notes
Min
Max
$GGUHVV DQG $'9 /RZ 6HWXS 7LPH
W$6
QV
$GGUHVV +ROGIURP $'9 *RLQJ +LJK
W$9+
QV
$GGUHVV 6HWXSWR $'9 *RLQJ +LJK
W$96
$GGUHVV 9DOLG WR(QGRI :ULWH
W$:
QV
/% 8% 6HOHFW WR(QGRI :ULWH
W%:
QV
&( /RZ WR:DLW9DOLG
W&(:
QV
$V\QF$GGUHVVWR%XUVW 7UDQVLWLRQ7LPH
W&.$
QV
&( /RZ WR $'9 +LJK
W&96
QV
&KLS (QDEOH WR(QGRI :ULWH
W&:
QV
'DWD +ROGIURP:ULWH7LPH
W'+
QV
'DWD :ULWH 6HWXS7LPH
W':
QV
&KLS'LVDEOH WR:DLW+LJK= 2XWSXW
W+=
QV
&KLS (QDEOH WR/RZ=2XWSXW
W/=
QV
(QG:ULWH WR /RZ=2XWSXW
W2:
QV
$'9 3XOVH :LGWK
W93
QV
$'93XOVH :LGWK+LJK
W93+
QV
$'9 6HWXSWR(QGRI:ULWH
W96
QV
:ULWH &\FOH7LPH
W:&
QV
:ULWH WR'4 +LJK=2XWSXW
W:+=
QV
:ULWH3XOVH :LGWK
W:3
QV
:ULWH 3XOVH :LGWK +LJK
W:3+
QV
:ULWH 5HFRYHU\ 7LPH
W:5
QV
&( +LJK EHWZHHQ VXEVHTXHQW DV\QFKURQRXV RSHUDWLRQV
W&3+
QV
相关PDF资料
PDF描述
S71WS128NC0BFWAK SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84
S29CL032J0RQFN112 1M X 32 FLASH 3.3V PROM, 48 ns, PQFP80
S71GL128NC0BFWAT2 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84
SST38VF6401-90-4C-EKE 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48
SMKK-67142V-55SC 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CQFP48
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参数描述
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