参数资料
型号: S71WS128NB0BFWAJ
厂商: SPANSION LLC
元件分类: 存储器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84
封装: 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84
文件页数: 41/214页
文件大小: 3554K
代理商: S71WS128NB0BFWAJ
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March 9, 2005 CellRam_03_A0
64Mb CellularRAM Type 2
133
Advance
Information
1RWHV
:KHQ FRQILJXUHG IRU V\QFKURQRXV PRGH%&5>@
DUHIUHVK RSSRUWXQLW\PXVWEH SURYLGHG HYHU\ W&(0 $UHIUHVK RSSRUWXQLW\ LV
VDWLVILHG E\HLWKHU RIWKHIROORZLQJ WZR FRQGLWLRQVD FORFNHG&( +,*+RU E &( +,*+ IRUJUHDWHUWKDQ QV
&ORFN UDWHVEHORZ 0+]W&/. ! QV DUHDOORZHGDV ORQJ DVW&63 VSHFLILFDWLRQVDUHPHW
24.1
Timing Diagrams
Table 24.6
Burst Write Cycle Timing Requirements
Parameter
Symbol
70ns/80 MHz
70ns/66 MHz
Units
Notes
Min
Max
Min
Max
&( +LJK EHWZHHQ 6XEVHTXHQW 0L[HG0RGH 2SHUDWLRQV
W&%3+
QV
&(/RZWR:DLW 9DOLG
W&(:
QV
&ORFN3HULRG
W&/.
QV
&( 6HWXS WR &/. $FWLYH (GJH
W&63
QV
+ROG 7LPH IURP $FWLYH &/. (GJH
W+'
QV
&KLS'LVDEOHWR:DLW+LJK=2XWSXW
W+=
QV
&/.5LVH RU )DOO7LPH
W.+./
QV
&ORFNWR :DLW 9DOLG
W.+7/
QV
&/. +LJK RU /RZ 7LPH
W.3
QV
6HWXS7LPHWR $FWLYDWH&/.(GJH
W63
QV
0LQLPXP &( 3XOVH :LGWK
W&(0
V
Figure 24.3
Initialization Period
Table 24.7
Initialization Timing Parameters
Parameter
Symbol
70ns/80 MHz
85ns/66 MHz
Units
Notes
Min
Max
Min
Max
,QLWLDOL]DWLRQ 3HULRGUHTXLUHGEHIRUH QRUPDORSHUDWLRQV
W38
V
tPU
VCC, VCCQ = 1.7V
VCC (MIN)
Device ready for
normal operation
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PDF描述
S71WS128NC0BFWAK SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84
S29CL032J0RQFN112 1M X 32 FLASH 3.3V PROM, 48 ns, PQFP80
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SST38VF6401-90-4C-EKE 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48
SMKK-67142V-55SC 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CQFP48
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