参数资料
型号: S71WS128NB0BFWAJ
厂商: SPANSION LLC
元件分类: 存储器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84
封装: 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84
文件页数: 70/214页
文件大小: 3554K
代理商: S71WS128NB0BFWAJ
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May 16, 2005 cellram_04_A0
1.8V 128Mb CellularRAM Type 2
159
Advance
Information
26 Functional Description
,Q JHQHUDO WKLV GHYLFH LV D KLJKGHQVLW\ DOWHUQDWLYH WR 65$0V DQG S65$0V SRSXODU LQ ORZSRZHU
SRUWDEOHDSSOLFDWLRQV
7KLV GHYLFH FRQWDLQV D ELW '5$0 FRUH RUJDQL]HG DV DGGUHVVHV E\ ELWV
7KHGHYLFH LPSOHPHQWVWKHVDPH KLJKVSHHGEXVLQWHUIDFH IRXQG RQEXUVWPRGH )ODVKSURGXFWV
7KH &HOOXODU5$0 EXV LQWHUIDFH VXSSRUWV ERWK DV\QFKURQRXV DQG EXUVW PRGH WUDQVIHUV 3DJH PRGH
DFFHVVHV DUH DOVR LQFOXGHG DV D EDQGZLGWKHQKDQFLQJ H[WHQVLRQ WR WKH DV\QFKURQRXV UHDG
SURWRFRO
26.1
Power-Up Initialization
&HOOXODU5$0 SURGXFWV LQFOXGH DQ RQFKLS YROWDJH VHQVRU XVHG WR ODXQFK WKH SRZHUXS LQLWLDOL]DWLRQ
SURFHVV ,QLWLDOL]DWLRQ FRQILJXUHV WKH %&5 DQG WKH 5&5 ZLWK GHIDXOW VHWWLQJV 7DEOH 6H
RQ SDJH 9&& DQG 9&&4 PXVW EH DSSOLHG VLPXOWDQHRXVO\ :KHQ WKH\ UHDFK D VWDEOH
OHYHO DW RU DERYH 9 WKH GHYLFH UHTXLUHV V WR FRPSOHWH LWV VHOILQLWLDOL]DWLRQ SURFHVV 'XU
LQJ WKH LQLWLDOL]DWLRQ SHULRG &( VKRXOG UHPDLQ +LJK :KHQ LQLWLDOL]DWLRQ LV FRPSOHWH WKH GHYLFH
LV5HDG\ IRUQRUPDORSHUDWLRQ
Figure 26.1
Power-Up Initialization Timing
27 Bus Operating Modes
&HOOXODU5$0 SURGXFWV LQFRUSRUDWH D EXUVW PRGH LQWHUIDFH IRXQG RQ )ODVK SURGXFWV WDUJHWLQJ ORZ
SRZHU ZLUHOHVV DSSOLFDWLRQV 7KLV EXV LQWHUIDFH VXSSRUWV DV\QFKURQRXV SDJH PRGH DQG EXUVW
PRGH 5HDG DQG :ULWH WUDQVIHUV 7KH VSHFLILF LQWHUIDFH VXSSRUWHG LV GHILQHG E\ WKH YDOXH ORDGHG
LQWRWKH %&5 3DJHPRGH LVFRQWUROOHG E\WKH UHIUHVKFRQILJXUDWLRQ UHJLVWHU 5&5>@
27.1
Asynchronous Mode
&HOOXODU5$0 SURGXFWV SRZHU XS LQ WKH DV\QFKURQRXV RSHUDWLQJ PRGH 7KLV PRGH XVHV WKH LQGXVWU\
VWDQGDUG 65$0 FRQWURO EXV &( 2( :( /% 8% 5HDG RSHUDWLRQV )LJXUH 5HDG
2SHUDWLRQ $'9 /RZ RQ SDJH DUH LQLWLDWHG E\ EULQJLQJ &( 2( DQG /%8% /RZ
ZKLOH NHHSLQJ :( +LJK 9DOLG GDWD LV GULYHQ RXW RI WKH ,2V DIWHU WKH VSHFLILHG DFFHVV WLPH KDV
HODSVHG
:ULWH RSHUDWLRQV )LJXUH :ULWH 2SHUDWLRQ $'9 /RZ RQ SDJH RFFXU ZKHQ &(
:( DQG /% 8% DUH GULYHQ /RZ 'XULQJ DV\QFKURQRXV :ULWH RSHUDWLRQV WKH 2( OHYHO LV D
GRQW FDUHDQG :( RYHUULGHV 2( 7KH GDWDWREH ZULWWHQLVODWFKHG RQWKH ULVLQJHGJHRI &(
:( RU /% 8% ZKLFKHYHU RFFXUV ILUVW $V\QFKURQRXV RSHUDWLRQV SDJH PRGH GLVDEOHG FDQ
HLWKHU XVH WKH $'9 LQSXW WR ODWFKWKH DGGUHVVRU$'9 FDQ EH GULYHQ /RZGXULQJ WKH HQWLUH 5HDG
:ULWH RSHUDWLRQ
'XULQJ DV\QFKURQRXV RSHUDWLRQ WKH &/. LQSXW PXVW EH KHOG VWDWLF ORZ :DLW LV GULYHQ ZKLOH WKH
GHYLFH LV HQDEOHG DQG LWV VWDWHVKRXOG EH LJQRUHG:(ORZWLPHPXVWEHOLPLWHG WRW&(0
VCC
VCCQ
tPU > 150 s
Device Initialization
Device ready for
normal operation
VCC = 1.7 V
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PDF描述
S71WS128NC0BFWAK SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84
S29CL032J0RQFN112 1M X 32 FLASH 3.3V PROM, 48 ns, PQFP80
S71GL128NC0BFWAT2 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84
SST38VF6401-90-4C-EKE 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48
SMKK-67142V-55SC 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CQFP48
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