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参数资料
| 型号： | S71WS128NB0BFWAJ |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84 |
| 文件页数： | 36/214页 |
| 文件大小： | 3554K |
| 代理商： | S71WS128NB0BFWAJ |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页当前第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页
128
64Mb CellularRAM Type 2
CellRam_03_A0 March 9, 2005
Advan c e
Inf o rmation
1RWHV
)RU5&5>@
EGHIDXOW UHIHU WR )LJXUH IRUW\SLFDOYDOXHV
,Q RUGHU WR DFKLHYH ORZ VWDQGE\ FXUUHQW DOO LQSXWV PXVW EH GULYHQ WR HLWKHU 9&&4 RU 966 ,6% PLJKW EH VOLJKWO\ KLJKHU IRU XS WR PV DIWHU
SRZHUXSRU DIWHU FKDQJHVWR WKH3$5DUUD\SDUWLWLRQ
9DOXHVRI7&5IRU DUH WHVWHG9DOXHVRI7&5 IRUDQG DUH VDPSOHG RQO\
1RWH 7\SLFDO ,6% FXUUHQWVIRU HDFK 3$5 VHWWLQJ ZLWK WKH DSSURSULDWH 7&5VHOHFWHG RU WHPSHUDWXUH VHQVRU HQDEOHG
Figure 23.1
Typical Refresh Current vs. Temperature (ITCR)
Table 23.2
Maximum Standby Currents for Applying PAR and TCR Settings
PAR
TCR
+15°C (RCR[6:5] = 10b)
+45°C (RCR[6:5] = 01b)
+85°C (RCR[6:5] = 11b)
)XOO $UUD\
$UUD\
$UUD\
$UUD\
$UUD\
Table 23.3
Deep Power-Down Specifications
Description
Conditions
Symbol
Typ
Units
'HHS 3RZHUGRZQ
9,1 9&&4RU 9 &
,==
$
0
10
20
30
40
50
60
70
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Temperature (°C)
ISB
(
μA)
PAR = 1/2 of Array
PAR = 1/4 of Array
PAR = 1/8 of Array
PAR = None of Array
PAR = Full Array
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS128NC0BFWAK | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84 |
| S29CL032J0RQFN112 | 1M X 32 FLASH 3.3V PROM, 48 ns, PQFP80 |
| S71GL128NC0BFWAT2 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84 |
| SST38VF6401-90-4C-EKE | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| SMKK-67142V-55SC | 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CQFP48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S71WS128NC0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS128PB0HH3SR0 | 制造商:Spansion 功能描述:IC MCP 128/32P - Trays |
| S71WS128PC0HF3SR3 | 制造商:Spansion 功能描述:Combo Mem 8Mx16 Flash + 4Mx16 PSRAM 1.8V 84-Pin FBGA T/R 制造商:Spansion 功能描述:SPZS71WS128PC0HF3SR3 IC MCP 128/64P |
| S71WS256JA0BAW2Y0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| S71WS256JA0BAW2Y2 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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