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参数资料
| 型号： | S75PL127JCDBFWB0 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Power supply woltage of 2.7 to 3.1 volt |
| 中文描述： | 功率2月7号至三月一日伏的电源woltage |
| 文件页数： | 63/183页 |
| 文件大小： | 4247K |
| 代理商： | S75PL127JCDBFWB0 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页当前第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页
156
S29GLxxxN MirrorBitTM Flash Family
S29GLxxxN_MCP_A1 December 15, 2004
Advance
Info rmation
AC Characteristics
Erase and Program Operations–S29GL128N, S29GL256N, S29GL512N
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
3. For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
4. Effective write buffer specification is based upon a 16-word/32-byte write buffer operation.
5. Unless otherwise indicated, AC specifications for 90 ns, 100 ns, and 110 ns speed options are tested with VIO = VCC
= 3 V. AC specifications for 110 ns speed options are tested with VIO = 1.8 V and VCC = 3.0 V.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std.
Description
90
100
110
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
110
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tASO
Address Setup Time to OE# low during toggle
bit polling
Min
15
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
45
ns
tAHT
Address Hold Time From CE# or OE# high
during toggle bit polling
Min
0
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min
45
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tCEPH CE# High during toggle bit polling
Min
20
tOEPH Output Enable High during toggle bit polling
Min
20
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP
Write Pulse Width
Min
35
ns
tWHDL
tWPH Write Pulse Width High
Min
30
ns
tWHWH1 tWHWH1
Write Buffer Program Operation (Notes 2, 3)
Typ
240
s
Effective Write Buffer Program
Operation (Notes 2, 4)
Per Word
Typ
s
15
Accelerated Effective Write Buffer
Program Operation (Notes 2, 4)
Per Word
Typ
s
13.5
Program Operation (Note 2)
Word
Typ
s
60
Accelerated Programming
Operation (Note 2)
Word
Typ
s
54
tWHWH2 tWHWH2 Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec
tVHH VHH Rise and Fall Time (Note 1)
Min
250
ns
tVCS VCC Setup Time (Note 1)
Min
50
s
tBUSY Erase/Program Valid to RY/BY# Delay
Min
90
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