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参数资料
| 型号： | SI4136M-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 13/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4136 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 合成器 |
| 适用于相关产品： | SI4136 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名称： | 336-1119 |
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Si4136/Si4126
20
Rev. 1.41
Table 10. Powerdown Configuration
PWDN Pin
AUTOPDB
PDIB
PDRB
IF Circuitry
RF
Circuitry
PWDN = 0
x
OFF
PWDN = 1
00
0
OFF
00
1
OFF
ON
01
0
ON
OFF
01
1
ON
1x
x
ON
Note: x = don’t care.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| SI4122M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4122 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4154DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI4154DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4156DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4156DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 24A 6.0W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4156DY-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 24A |
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