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参数资料
| 型号： | SI4136M-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 4/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4136 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 合成器 |
| 适用于相关产品： | SI4136 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名称： | 336-1119 |
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Si4136/Si4126
12
Rev. 1.41
Figure 7. Typical RF1 Phase Noise at 2.4 GHz
with 1 MHz Phase Detector Update Frequency
Figure 8. Typical RF1 Spurious Response at 2.4 GHz
with 1 MHz Phase Detector Update Frequency
T ypical RF1 Phase Noise at 2.4 GHz
-140
-130
-120
-110
-100
-90
-80
-70
-60
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
Offset Frequency (Hz)
Phase
Noise
(dBc/
H
z)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4154DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI4154DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4156DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4156DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 24A 6.0W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4156DY-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 24A |
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