- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18712 > SI4136M-EVB (Silicon Laboratories Inc)BOARD EVALUATION FOR SI4136 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI4136M-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 24/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4136 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 合成器 |
| 适用于相关产品： | SI4136 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名称： | 336-1119 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页当前第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页
Si4136/Si4126
30
Rev. 1.41
8. Package Outline: Si4136-BT/GT
Figure 18 illustrates the package details for the Si4136-BT/GT. Table 12 lists the values for the dimensions shown
in the illustration.
Figure 18. 24-Pin Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP)
Table 12. Package Diagram Dimensions
Symbol
Millimeters
Min
Nom
Max
A—
—
1.20
A1
0.05
—
0.15
b
0.19
—
0.30
c
0.09
—
0.20
D7.70
7.80
7.90
e
0.65 BSC
E
6.40 BSC
E1
4.30
4.40
4.50
L
0.450.600.75
0°
—
8°
aaa
0.10
bbb
0.10
ccc
0.05
ddd
0.20
E1
E
e
D
L
C
A
A1
b
E/2
bbb
C B A
M
2x
ddd C B A
A
ccc
24x
aaa C
Seating Plane
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4126M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4126 |
| SI4123M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4123 |
| GLAA01B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT |
| SI4122M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4122 |
| SI4113M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4154DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI4154DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4156DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4156DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 24A 6.0W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4156DY-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 24A |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。