- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18712 > SI4136M-EVB (Silicon Laboratories Inc)BOARD EVALUATION FOR SI4136 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI4136M-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 20/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4136 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 合成器 |
| 适用于相关产品： | SI4136 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名称： | 336-1119 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页当前第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页
Si4136/Si4126
Rev. 1.41
27
4. Pin Descriptions: Si4136-BT/GT
Pin Number(s) Name
Description
1
SCLK
Serial clock input
2
SDATA
Serial data input
3, 4, 6, 8–10,
16, 18, 21
GND
Common ground
5, 7
NC
No connect
11
RFOUT
Radio frequency (RF) output of the selected RF VCO
12
VDDR
Supply voltage for the RF analog circuitry
13
AUXOUT
Auxiliary output
14
PWDN
Powerdown input pin
15
XIN
Reference frequency amplifier input
17
VDDD
Supply voltage for digital circuitry
19, 20
IFLA, IFLB
Pins for inductor connection to IF VCO
22
IFOUT
Intermediate frequency (IF) output of the IF VCO
23
VDDI
Supply voltage for IF analog circuitry
24
SEN
Enable serial port input
SCLK
SDATA
GND
NC
GND
NC
GND
RFOUT
VDDR
SEN
VDDI
IFOUT
GND
IFLB
IFLA
GND
VDDD
GND
XIN
PWDN
AUXOUT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4126M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4126 |
| SI4123M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4123 |
| GLAA01B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT |
| SI4122M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4122 |
| SI4113M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4154DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI4154DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4156DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4156DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 24A 6.0W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4156DY-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 24A |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。