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参数资料
| 型号： | SI4136M-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 15/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4136 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 合成器 |
| 适用于相关产品： | SI4136 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名称： | 336-1119 |
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Si4136/Si4126
22
Rev. 1.41
Register 0. Main Configuration Address Field = A[3:0] = 0000
Bit
D17 D16 D15 D14 D13 D12 D11 D10
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
Name
0
AUXSEL
IFDIV
0
XIN
DIV2
LPWR
0
AUTO
PDB
00
0
Bit
Name
Function
17:14
Reserved
Program to zero.
13:12
AUXSEL
Auxiliary Output Pin Definition.
00
= Reserved.
01
= Force output low.
11
= Lock Detect (LDETB).
11:10
IFDIV
IF Output Divider
00 = IFOUT = IFVCO Frequency
01 = IFOUT= IFVCO Frequency/2
10 = IFOUT = IFVCO Frequency/4
11 = IFOUT = IFVCO Frequency/8
9:7
Reserved
Program to zero.
6XINDIV2
XIN Divide-By-2 Mode.
0 = XIN not divided by 2.
1 = XIN divided by 2.
5LPWR
Output Power-Level Settings for IF Synthesizer Circuit.
0 = RLOAD 500 —normal power mode.
1 = RLOAD 500 —low power mode.
4
Reserved
Program to zero.
3
AUTOPDB
Auto Powerdown
0 = Software powerdown is controlled by Register 2.
1 = Equivalent to setting all bits in Register 2 = 1.
2:0
Reserved
Program to zero.
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PDF描述 |
|---|---|
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| SI4123M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4123 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4154DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI4154DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4156DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4156DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 24A 6.0W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4156DY-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 24A |
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