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参数资料
型号： SI4136M-EVB
厂商： Silicon Laboratories Inc
文件页数： 22/34页
文件大小： 0K
描述： BOARD EVALUATION FOR SI4136
标准包装： 1
类型： 合成器
适用于相关产品： SI4136
已供物品： 板，CD
其它名称： 336-1119
Si4136/Si4126
Rev. 1.41
29
6. Ordering Guide
7. Si4136 Derivative Devices
The Si4136 performs both IF and dual-band RF frequency synthesis. The Si4126 is a derivative of this device. The
Si4126 features two synthesizers, RF2 and IF; it does not include RF1. The pinouts for the Si4126 and the Si4136
are the same. Unused registers related to RF1 should be programmed to zero.
Ordering Part
Number
Description
Lead-Free/
RoHS Compliant
Temperature
Si4136-F-BT
2.5 GHz/2.3 GHz/IF OUT
–40 to 85 oC
Si4136-F-GT
2.5 GHz/2.3 GHz/IF OUT/Lead Free
–40 to 85 oC
Si4136-F-BM
2.5 GHz/2.3 GHz/IF OUT
–40 to 85 oC
Si4136-F-GM
2.5 GHz/2.3 GHz/IF OUT/Lead Free
–40 to 85 oC
Si4126-F-BM
2.3 GHz/IF OUT
–40 to 85 oC
Si4126-F-GM
2.3 GHz/IF OUT/Lead Free
–40 to 85 oC
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
SI4154DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4154DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4156DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4156DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 24A 6.0W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4156DY-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 24A
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