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参数资料
| 型号： | SI7913DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 7.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 Dual |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7913DN-T1-GE3DKR |
AN822
Vishay Siliconix
105
130
Spreading Copper (s q . in.)
120
Spreading Copper (s q . in.)
95
110
8 5
75
100
90
8 0
65
100 %
70
50 %
100 %
55
50 %
60
0 %
0 %
45
50
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
Figure 5. Spreading Copper - Si7401DN
CONCLUSIONS
As a derivative of the PowerPAK SO-8, the PowerPAK
1212-8 uses the same packaging technology and has
been shown to have the same level of thermal perfor-
mance while having a footprint that is more than 40 %
smaller than the standard TSSOP-8.
Recommended PowerPAK 1212-8 land patterns are
provided to aid in PC board layout for designs using this
new package.
www.vishay.com
4
Figure 6. Spreading Copper - Junction-to-Ambient Performance
The PowerPAK 1212-8 combines small size with attrac-
tive thermal characteristics. By minimizing the thermal
rise above the board temperature, PowerPAK simplifies
thermal design considerations, allows the device to run
cooler, keeps r DS(ON) low, and permits the device to
handle more current than a same- or larger-size MOS-
FET die in the standard TSSOP-8 or SO-8 packages.
Document Number 71681
03-Mar-06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7922DN-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8 |
| SI7923DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK |
| SI7940DP-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC |
| SI7945DP-T1-GE3 | MOSFET DL P-CH 30V PPAK 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SI7915A | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Negative Voltage Regulator |
| SI7918 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Negative Voltage Regulator |
| SI7918A | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Negative Voltage Regulator |
| SI7921DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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