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参数资料
| 型号： | SI7913DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 7.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 Dual |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7913DN-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? 1212-8 Dual
0.152
0.152
(3.860)
(3. 8 60)
0.039
0.06 0.068
0.016
0.016
(0.405)
(0.405)
0.039
(0.990)
(0.990)
0.039
(0.990)
8
(1.725)
(1.725)
0.010
(0.225)
0.010
(0.255)
0.094
(2.390)
0.039
0.026
(0.660)
0.026
(0.660)
0.025
(0.635)
0.025
(0.635)
(0.990)
0.030
(0.760)
0.030
(0.760)
Recommended Minim u m PADs for Po w erPAK 1212- 8 D u al
Dimensions in Inches/(mm)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
1
Document Number: 72598
Revision: 14-Apr-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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