参数资料
型号: SI9912DY-T1-E3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 5/9页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC
标准包装: 2,500
配置: 半桥
输入类型: 非反相
延迟时间: 25ns
电流 - 峰: 1A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 30V
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
Si9912
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
30
I DD Supply Current vs. Frequency
50
Rise and Fall Time vs. C LOAD
See Figure 2
10
See Figure 1
40
30
t f(OUTL)
t r(OUTH)
1
20
10
0
t r(OUTL)
t f(OUTH)
1
10
100
1000
0.3
1
3
10
0
? 1
? 2
0.5 A
Frequency (kHz)
V OUT(H+) vs. Supply
5
4
3
Load Capacitance (nF)
V OUT(H ? ) vs. Supply
See Figure 3
2A
1A
1.5 A
? 3
1.5 A
2
1A
? 4
? 5
See Figure 3
1
0
0.5 A
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Supply Voltage (V)
V OUT(L+) vs. Supply
Supply Voltage (V)
V OUT(L ? ) vs. Supply
0
? 1
0.5 A
1A
2.5
2.0
See Figure 3
? 2
? 3
1.5 A
1.5
2A
1.5 A
1.0
? 4
2A
1A
? 5
? 6
See Figure 3
0.5
0.0
0.5 A
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Document Number: 71311
S-40134—Rev. B, 16-Feb-04
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
www.vishay.com
5
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