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参数资料
| 型号： | SI9912DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 25ns |
| 电流 - 峰： | 1A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 30V |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si9912
Vishay Siliconix
+5 V
U1
+5 V
U1
PWM IN
1
2
3
OUT H
GND
IN
V S
BOOT
V DD
8
7
6
C LOAD
C9
Input
1
2
3
OUT H
GND
IN
V S
BOOT
V DD
8
7
6
ISRC
4
SD
OUT L
Si9912
5
C LOAD
C8
4
SD
OUT L
Si9912
5
ISRC
C2
0.1 m F
GND
FIGURE 2. Capacitive Load Test Circuit Used to Measure
Rise and Fall Times vs. Capacitance
www.vishay.com
8
C2
0.1 m F
GND
FIGURE 3. Load Test Schematic Circuit Used to
Measure Driver Output Impedance
Document Number: 71311
S-40134—Rev. B, 16-Feb-04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI9913DY-E3 | 功能描述:功率驱动器IC H-Bridge MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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