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参数资料
| 型号： | SST38VF6401-90-4C-EKE |
| 厂商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142DD, TSOP1-48 |
| 文件页数： | 21/55页 |
| 文件大小： | 1547K |
| 代理商： | SST38VF6401-90-4C-EKE |
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28
Preliminary Specification
64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus
SST38VF6401 / SST38VF6402 / SST38VF6403 / SST38VF6404
2008 Silicon Storage Technology, Inc.
S71309-03-000
08/08
AC CHARACTERISTICS
TABLE 21: Read Cycle Timing Parameters VDD = 2.7-3.6V
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
TRC
Read Cycle Time
90
ns
TCE
Chip Enable Access Time
90
ns
TAA
Address Access Time
90
ns
TPACC
Page Access Time
25
ns
TOE
Output Enable Access Time
25
ns
TCLZ1
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
CE# Low to Active Output
0
ns
TOLZ1
OE# Low to Active Output
0
ns
TCHZ1
CE# High to High-Z Output
20
ns
TOHZ1
OE# High to High-Z Output
20
ns
TOH1
Output Hold from Address Change
0
ns
TRP1
RST# Pulse Width
500
ns
TRHR1
RST# High before Read
50
ns
TRYE1,2
2. This parameter applies to Sector-Erase, Block-Erase, and Program operations.
This parameter does not apply to Chip-Erase operations.
RST# Pin Low to Read Mode
20
s
TRY1
RST# Pin Low to Read Mode – not during Program or
Erase algorithms.
500
ns
TRPD1
RST# Input Low to Standby mode
20
s
TRB1
RY / BY# Output high to CE# / OE# pin Low
0
ns
T21.0 1309
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