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参数资料
| 型号： | SST38VF6401-90-4C-EKE |
| 厂商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142DD, TSOP1-48 |
| 文件页数： | 28/55页 |
| 文件大小： | 1547K |
| 代理商： | SST38VF6401-90-4C-EKE |
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34
Preliminary Specification
64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus
SST38VF6401 / SST38VF6402 / SST38VF6403 / SST38VF6404
2008 Silicon Storage Technology, Inc.
S71309-03-000
08/08
FIGURE 13: WE# Controlled Chip-Erase Timing Diagram
FIGURE 14: WE# Controlled Block-Erase Timing Diagram
1309 F08.1
ADDRESS AMS-0
DQ15-0
WE#
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
SW5
555
2AA
555
XX55
XX10
XX55
XXAA
XX80
XXAA
555
OE#
CE#
RY/BY#
TWP
SIX-BYTE CODE FOR CHIP-ERASE
TSCE
TBUSY
Note: This device also supports CE# controlled Chip-Erase operation The WE# and CE# signals are
interchangeable as long as minimum timings are met. (See Table 22)
AMS = Most significant address
AMS = A21 for SST38VF6401/6402/6403/6404
WP# must be held in proper logic state (VIL or VIH) 1 s prior to and 1 s after the command sequence.
X can be VIL or VIH, but no other value.
1309 F09.1
ADDRESS AMS-0
DQ15-0
WE#
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
SW5
555
2AA
555
XX55
XX30
XX55
XXAA
XX80
XXAA
BAX
OE#
CE#
TBusy
RY/BY#
TBE
SIX-BYTE CODE FOR BLOCK-ERASE
TWP
Note: This device also supports CE# controlled Block-Erase operation The WE#
and CE# signals are interchangeable as long as minimum timings are met. (See Table 22)
BAX = Block Address
AMS = Most significant address
AMS = A21 for SST38VF6401/6402/6403/6404
WP# must be held in proper logic state (VIL or VIH) 1 s prior to and 1 s after the command sequence.
X can be VIL or VIH, but no other value.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMKK-67142V-55SC | 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CQFP48 |
| SMKK-67142V-45SC:RD | 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 45 ns, CQFP48 |
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| STK14C88-WF35M | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, PDIP32 |
| S71PL064JA0BAW0P2 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST38VF6401-90-5C-B3KE | 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST38VF6401-90-5C-EKE | 功能描述:闪存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST38VF6401-90-5C-EKE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST38VF6401-90-5I-B3KE | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST38VF6401-90-5I-B3KE-T | 制造商:Microchip Technology 功能描述:Flash Parallel 3.3V 64Mbit 4M x 16bit 90ns 48-Pin TFBGA T/R 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:2.7V TO 3.6V 64MBIT PM PARALLEL ADVANCED MPF+ - Tape and Reel 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 90NS 48TFBGA 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:2.7Vto3.6V 64Mb ParAdvanced MPF+ |
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