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参数资料
| 型号： | ST10F252M-4T3 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 40 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| 封装： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LQFP-100 |
| 文件页数： | 293/328页 |
| 文件大小： | 3111K |
| 代理商： | ST10F252M-4T3 |
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ST10F252M
Internal Flash memory
67/328
When the Access Protection is enabled, Flash registers can not be written, so no
program/erase operation can be run on IFlash. To enable the access to registers again, the
Temporary Access Unprotection procedure has to be followed (see Section 8.5.9).
8.5.8
Write protection
The Flash modules have one level of Write Protections: each Sector of each Bank of each
Flash Module can be Software Write Protected by programming at 0 the related bit W0Px in
FNVWPIRL register.
8.5.9
Temporary unprotection
Bits W0Px of FNVWPIRL can be temporarily unprotected by executing the Set Protection
operation and by writing 1 into these bits.
To restore the write protection bits it is necessary to reset the microcontroller or to execute a
Set Protection operation and write 0 into the desired bits.
In reality, when a temporary write unprotection operation is executed, the corresponding
volatile register is written to 1, while the non-volatile registers bits previously written to 0 (for
a protection set operation), will continue to maintain the 0. For this reason, the User
software must be in charge to track the current write protection status (for instance using a
specific RAM area), it is not possible to deduce it by reading the non-volatile register content
(a temporary unprotection cannot be detected).
To temporarily unprotect the Flash when the Access Protection is active, it is necessary to
set to ‘1’ the bit TAUB in XFVTAUR0. This bit can be set to ‘1’ only while executing from
Flash: In this way only an instruction executed from Flash can unprotect the Flash itself.
To restore the Access Protection, it is necessary to reset the microcontroller or to write at 0
the bit TAUB in XFVTAUR0.
8.6
Write operation examples
The following examples represent each kind of Flash write operation.
Note:
The write operation commands must be executed from another memory (internal RAM or
external memory), as in ST10F269 device. In fact, due to I-bus characteristics, it is not
possible to perform write operation in IFlash while fetching code from IFlash.
Direct addressing is not allowed for write accesses to IFlash control registers. This means
that both address and data for a writing operation must be loaded in one ST10 GPR register
(R0...R15).
A write operation on the I-bus is 16 bits wide.
Example: indirect addressing mode:
Word program example: 32-bit word program of data 0xAAAAAAAA at address 0x015554.
MOV RWm, #ADDRESS;
/*Load Add in RWm*/
MOV RWn, #DATA;
/*Load Data in RWn*/
MOV [RWm], RWn;
/*Indirect addressing*/
FCR0H
|= 0x2000;
/*Set WPG in FCR0H*/
FARL
= 0x5554;
/*Load Add in FARL*/
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ST10F269DIETR | 16-BIT, FLASH, 32 MHz, MICROCONTROLLER, UUC |
| ST10F269Z2Q3 | 16-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| ST10F269Z2Q6 | 16-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| ST10F276Z5Q3 | 16-BIT, MROM, 64 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| ST10F296TR | 16-BIT, FLASH, 64 MHz, MICROCONTROLLER, PBGA208 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ST10F267-DT | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| ST10F267-DTR | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16-bit MCU MAC 256 Kbyte Flash RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT |
| ST10F268 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16-BIT MCU WITH 256K BYTE FLASH MEMORY AND 8K BYTE RAM |
| ST10F269 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16-BIT MCU WITH MAC UNIT, 256K BYTE FLASH MEMORY AND 12K BYTE RAM |
| ST10F269DIETR | 功能描述:MCU 16BIT 256K FLASH BARE DIE RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:ST10 标准包装:330 系列:- 核心处理器:- 芯体尺寸:8/16-位 速度:40MHz 连通性:UART/USART 外围设备:DMA，PWM，WDT 输入/输出数:32 程序存储器容量:- 程序存储器类型:外部程序存储器 EEPROM 大小:- RAM 容量:- 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:- 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-BQFP 包装:管件 |
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