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参数资料
| 型号： | SUD50N06-09L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUD50N06-09L-E3DKR |
SUD50N06-09L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C unless noted)
100
80
60
40
20
V GS = 10 thru 5 V
4V
100
80
60
40
20
T C = 125 °C
25 °C
0
2 V, 3 V
0
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
120
100
80
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
T C = - 55 °C
25 °C
0.015
0.012
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
V GS = 4.5 V
60
40
125 °C
0.009
0.006
V GS = 10 V
20
0
0.003
0.000
0
10
20 30
40
50
0
20
40
60
80
100
4000
I D - Drain Current (A)
Transconductance
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
C oss
C iss
8
6
4
2
V DS = 30 V
I D = 50 A
0
C rss
0
0
10
20 30 40 50
60
0
10
20
30
40
50
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 72004
S13-0298-Rev. F, 11-Feb-13
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SUD50N06-09L-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
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| SUD50N06-16-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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